VISHAY

单管二极管 齐纳, 6.8 V, 1.25 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C

NEXPERIA

单管二极管 齐纳, 16 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 75 mohm, 10 V, 4 V

NEXPERIA

单管二极管 齐纳, 20 V, 400 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C

DIODES INC.

单晶体管 双极, NPN, 20 V, 215 MHz, 1.25 W, 4.5 A, 450 hFE

DIODES INC.

二极管 小信号, 开关, 双系列, 85 V, 155 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A

VISHAY

标准功率二极管, 单, 800 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 μs, 30 A

ROHM

小信号肖特基二极管, 双系列, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

VISHAY

快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 150 A

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -650 mV

ON SEMICONDUCTOR

射频双极性晶体管

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1 V

VISHAY

标准二极管, 1.5A, 50V, DO-214AA

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道

NEXPERIA

单管二极管 齐纳, 51 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C

NEXPERIA

肖特基整流器, 双共阴极, 30 V, 2 A, SOT-1061, 3 引脚, 440 mV

INFINEON

双路场效应管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.017 ohm, -10 V, -1.8 V

TOSHIBA

晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -8 A, -60 V, 0.08 ohm, -10 V, -3 V

TAIWAN SEMICONDUCTOR

肖特基整流器, 2A, 60V, DO-214AA

DIODES INC.

小信号肖特基二极管, 双共阴极, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C

VISHAY

肖特基整流器, 1A 60V DO-213AB

NEXPERIA

单管二极管 齐纳, 10 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C

NEXPERIA

单管二极管 齐纳, 47 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C

VISHAY

场效应管, MOSFET, P沟道, 60V V(BR)DSS

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.41 ohm, 4.5 V, 900 mV