FDC6420C,1467968,双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mV,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDC6420C - 

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mV

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDC6420C
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制造商产品编号:
FDC6420C
仓库库存编号:
1467968
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDC6420C产品概述

The FDC6420C is a 20V Dual N-channel and P-channel PowerTrench? MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench? MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Low gate charge
  • High performance trench technology for extremely low RDS (on)

电源管理, 工业

FDC6420C产品信息

  晶体管极性  N和P沟道  
  电流, Id 连续  3A  
  漏源电压, Vds  20V  
  在电阻RDS(上)  70mohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  900mV  
  功耗 Pd  960mW  
  晶体管封装类型  SuperSOT  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDC6420C产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.00002
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