IRS2001SPBF..,1603666,双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 600mA输出, 150ns延迟, SOIC-8,INFINEON
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IRS2001SPBF.. - 

双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 600mA输出, 150ns延迟, SOIC-8

INFINEON IRS2001SPBF..
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制造商产品编号:
IRS2001SPBF..
仓库库存编号:
1603666
技术数据表:
(EN)
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IRS2001SPBF..产品概述

The IRS2001SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low Side Driver with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 200V.
  • Floating channel designed for bootstrap operation
  • Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
  • Under-voltage lockout
  • 3.3, 5 and 15V Logic compatible
  • Matched propagation delay for both channels
  • Outputs in phase with inputs

电源管理

IRS2001SPBF..产品信息

  驱动配置  高压侧和低压侧  
  输出电流峰值  600mA  
  电源电压最小值  10V  
  电源电压最大值  20V  
  驱动器封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  输入延迟  160ns  
  输出延迟  150ns  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  125°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 2 - 1年  
关键词         

IRS2001SPBF..替代选择

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRS2001SPBF..产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423990
重量(千克):
.0001
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