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PHN210T,118 - 

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.2 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 2 V

NEXPERIA PHN210T,118
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制造商产品编号:
PHN210T,118
仓库库存编号:
1758131RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PHN210T,118产品信息

  晶体管极性  双N沟道  
  电流, Id 连续  2.2A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS(上)  0.08ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  2W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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PHN210T,118产地与重量

原产地:
Thailand

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000454
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