NTJD4105CT1G,2464121,双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV,ON SEMICONDUCTOR
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

NTJD4105CT1G - 

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV

ON SEMICONDUCTOR NTJD4105CT1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NTJD4105CT1G
仓库库存编号:
2464121
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

NTJD4105CT1G产品概述

The NTJD4105CT1G is a -8/20V P and N-channel Small Signal MOSFET designed with low RDS(on) for minimum footprint and increased circuit efficiency. The low RDS (on) performance is particularly suited for single or dual cell Li-Ion battery supplied devices such as cell phones, media players, digital cameras and PDAs.
  • Complementary N and P channel device
  • Leading -8V trench for low RDS(on) performance
  • ESD protected gate- Class 1 ESD rating
  • 460°C/W Thermal resistance, junction to ambient

通信与网络, 消费电子产品, 计算机和计算机周边, 多媒体

NTJD4105CT1G产品信息

  晶体管极性  N和P沟道  
  电流, Id 连续  630mA  
  漏源电压, Vds  20V  
  在电阻RDS(上)  0.29ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  920mV  
  功耗 Pd  270mW  
  晶体管封装类型  SOT-363  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

NTJD4105CT1G替代选择

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

NTJD4105CT1G关联产品

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

NTJD4105CT1G相关搜索

晶体管极性 N和P沟道  ON SEMICONDUCTOR 晶体管极性 N和P沟道  双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管极性 N和P沟道  ON SEMICONDUCTOR 双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管极性 N和P沟道   电流, Id 连续 630mA  ON SEMICONDUCTOR 电流, Id 连续 630mA  双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 630mA  ON SEMICONDUCTOR 双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 630mA   漏源电压, Vds 20V  ON SEMICONDUCTOR 漏源电压, Vds 20V  双路场效应管MOSFET晶体管 漏源电压, Vds 20V  ON SEMICONDUCTOR 双路场效应管MOSFET晶体管 漏源电压, Vds 20V   在电阻RDS(上) 0.29ohm  ON SEMICONDUCTOR 在电阻RDS(上) 0.29ohm  双路场效应管MOSFET晶体管 在电阻RDS(上) 0.29ohm  ON SEMICONDUCTOR 双路场效应管MOSFET晶体管 在电阻RDS(上) 0.29ohm   电压 @ Rds测量 4.5V  ON SEMICONDUCTOR 电压 @ Rds测量 4.5V  双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 4.5V  ON SEMICONDUCTOR 双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 4.5V   阈值电压 Vgs 920mV  ON SEMICONDUCTOR 阈值电压 Vgs 920mV  双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs 920mV  ON SEMICONDUCTOR 双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs 920mV   功耗 Pd 270mW  ON SEMICONDUCTOR 功耗 Pd 270mW  双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 270mW  ON SEMICONDUCTOR 双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 270mW   晶体管封装类型 SOT-363  ON SEMICONDUCTOR 晶体管封装类型 SOT-363  双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管封装类型 SOT-363  ON SEMICONDUCTOR 双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管封装类型 SOT-363   针脚数 6引脚  ON SEMICONDUCTOR 针脚数 6引脚  双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 6引脚  ON SEMICONDUCTOR 双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 6引脚   工作温度最高值 150°C  ON SEMICONDUCTOR 工作温度最高值 150°C  双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C  ON SEMICONDUCTOR 双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR 产品范围 -  双路场效应管MOSFET晶体管 产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR 双路场效应管MOSFET晶体管 产品范围 -   汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR 汽车质量标准 -  双路场效应管MOSFET晶体管 汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR 双路场效应管MOSFET晶体管 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  ON SEMICONDUCTOR MSL MSL 1 -无限制  双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 -无限制  ON SEMICONDUCTOR 双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

NTJD4105CT1G产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.000006
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com