SCT30N120 -

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 2.6 V

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制造商：: STMICROELECTRONICS STMICROELECTRONICS
制造商产品编号：: SCT30N120
仓库库存编号：: 2451116
技术数据表：: (EN)

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SCT30N120产品概述

The SCT30N120 is a N-channel silicon carbide Power MOSFET, unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance independent of temperature. Suitable for high efficiency and high power density applications.

Very tight variation of on-resistance vs. temperature
Slight variation of switching losses vs. temperature
Very high operating temperature capability (200°C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance

工业, 电源管理

晶体管极性	N沟道
电流, Id 连续	40A
漏源电压, Vds	1.2kV
在电阻RDS（上）	0.08ohm
电压 @ Rds测量	20V
阈值电压 Vgs	2.6V
功耗 Pd	270W
晶体管封装类型	HiP247
针脚数	3引脚
工作温度最高值	200°C
产品范围	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

SCT30N120 -

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 2.6 V

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