产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：在电阻RDS（上） 500Mohm,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1.1 A, 60 V, 500 mohm, 10 V, 2.1 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 5.1A, D-PAK
(EN)
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晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -200 V, 500 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
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晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -200 V, 500 mohm, -10 V, 4 V
(EN)
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场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 6.7A
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -200 V, 500 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
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场效应管, MOSFET, P沟道
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晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -200 V, 500 mohm, -10 V, -4 V
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晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -200 V, 500 mohm, -10 V, -4 V
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晶体管, MOSFET, P沟道, 1.8 A, -60 V, 500 mohm, -10 V, -4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1.1 A, 60 V, 500 mohm, 10 V, 2.1 V
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晶体管, MOSFET, P沟道, 4.7 A, -60 V, 500 mohm, -10 V, -4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.8 A, -60 V, 500 mohm, -10 V, -2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.8 A, -60 V, 500 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
