以下产品搜索结果

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• NTR2101PT1G
  
• 1431297

• ON SEMICONDUCTOR

  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -8 V, 52 mohm, -4.5 V, -1 V

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：功耗 Pd 960mW,
• 搜索

• NTR2101PT1G
  
• 2317890

• ON SEMICONDUCTOR

  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -8 V, 0.039 ohm, -4.5 V, -1 V

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：功耗 Pd 960mW,
• 搜索

• SI2305ADS-T1-GE3
  
• 1690265

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 4.1A, TO-236

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：功耗 Pd 960mW,
• 搜索

• SI2367DS-T1-GE3
  
• 1781623

• VISHAY

  晶体管, P沟道

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：功耗 Pd 960mW,
• 搜索

• NTR2101PT1G
  
• 1431297RL

• ON SEMICONDUCTOR

  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -8 V, 52 mohm, -4.5 V, -1 V

  (EN)
  产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：功耗 Pd 960mW,
• 搜索