规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
肖特基整流器, 2A 30V DO-214AC
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 900 V, 400 mohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 16 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 10.4 A, -60 V, 55 mohm, -10 V, -1 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 15 A, SIP, 950 mV, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 200 V, 140 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 45 V, 30 A, 双共阴极, TO-220AB, 3 引脚, 550 mV
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 200 V, 2 A, 单, 1.1 V, 60 A
(EN)
STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 单, 25 V, 15 A, TO-220AC, 2 引脚, 350 mV
(EN)MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 113 W, 6 A, 8 hFE
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 33 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 60 A, 2.4 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.034 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, PNP, 30 V, 120 MHz, 2 W, 2 A, 150 hFE
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 4.3 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
FUJI ELECTRIC
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
MULTICOMP
桥接整流器, 单相, 25A, 50V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, P通道, MOSFET, -30V, 4.6A, SOIC
(EN)
MULTICOMP
快速/超快二极管, 400 V, 4 A, 单, 1.35 V, 60 ns, 150 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 1 W, 1.2 A, 25 hFE
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 2.3W, 6.8V, DO-219AB
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 61A, 1206
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 单, 100 V, 1 A, 950 mV, 35 ns, 30 A
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 2 MHz, 40 W, 4 A, 20 hFE
(EN)
