规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
小信号肖特基二极管, 单, 60 V, 15 mA, 410 mV, 2 A, 150 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.6 A, 20 V, 29 mohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 5.2 A, -30 V, 45 mohm, -10 V, -1 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 1.5 W, 1 A, 10 hFE
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 60 V, 40 A, 625 mV, 400 A, 150 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 47 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 1 W, 500 mA, 2000 hFE
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 18.1 A, 500 V, 0.25 ohm, 13 V, 3 V
(EN)
MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 500 V, 850 ohm, 0 V
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -200V, -3.6A, TO-252-3
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 300 A, 2.45 V, 1 kW, 600 V, Module
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, 20 V, 140 MHz, 625 mW, 1 A, 160 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 40 W, -4 A, 750 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, NPN, 450 V, 20 MHz, 40 W, 500 mA, 50 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
桥式整流器, 单相
(EN)
VISHAY
桥式整流器, 25A, 400V, GBPC
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
桥式整流器, 单相, 8A, 600V 通孔安装
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, 1 kV, 2 A, 单, 1.7 V, 75 ns, 60 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -11.5 A, -200 V, 0.36 ohm, -10 V, -5 V
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 1.5 A, 通孔安装, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
