产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：漏源电压, Vds -30V,
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 73 mohm, -10 V, -1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.8 A, -30 V, 0.037 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.8 A, -30 V, 0.037 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.016 ohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.044 ohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.027 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 27 mohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 27 mohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -30 V, 0.028 ohm, -10 V, -1 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -400 mV
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 5.8 A, -30 V, 0.023 ohm, -10 V, -1 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 1.5W
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -9 A, -30 V, 0.026 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.1 A, -30 V, 19.5 mohm, -10 V, -3 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -30 V, 0.015 ohm, -10 V, -1 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.015 ohm, 10 V, -1 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.015 ohm, 10 V, -1 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET晶体管, 整卷
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -29 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -2.5 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 14A, SOIC
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -36 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -14.9 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.4 V
(EN)
