产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：漏源电压, Vds 60V,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 2.5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 60 V, 1.5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 60 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 6.9 A, 60 V, 45 mohm, 10 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 60 V, 140 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 350 mohm, 5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 2 A, 60 V, 0.15 ohm, 5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.075 ohm, 5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.075 ohm, 5 V, 1 V
(EN)
