产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：产品范围 -,
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, N沟道, 58A, 100V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 69 A, 100 V, 0.0099 ohm, 10 V, 1.84 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, NextPowerS3, N沟道, 100 A, 25 V, 0.00182 ohm, 10 V, 1.68 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 60 V, 0.0126 ohm, 20 V, 4 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, HEXFET, 60V, 120A, D2PAK
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 3.8A, SOIC
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 43A, TO-220AB
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 18A, D-PAK
(EN)INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 116A, TO-220AB
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 340 mohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7W, 6-TSOP
(EN)
VISHAY
场效应管, P通道, MOSFET, -200V, 6.5A, D2-PAK
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 100A, 100V, 3.6W
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 19 A, 20 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 1.8 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 65A, 30V, 75W
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.0049Ω, 15A, SOIC-8
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
