产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：电压 @ Rds测量 4.5V,
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 630 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, D-S, 20V, 7.9A, TSOP6
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 30 V, 0.034 ohm, 4.5 V, 400 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 530 mA, 20 V, 0.35 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 30 V, 0.39 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 140 mA, 20 V, 5 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 12 V, 0.0075 ohm, 4.5 V, 800 mV
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 11.7 A, 20 V, 0.0065 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 5.9 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 450 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道+肖特基, 3.7 A, 30 V, 0.047 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 400 mV
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 6A, 二极管, SOT23
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.41 ohm, 4.5 V, 900 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 8 V, 0.0078 ohm, 4.5 V, 350 mV
(EN)
VISHAY
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 2.6A, SOT-23-3
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 154 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 154 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 154 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 30 V, 170 mohm, 4.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 79 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 38 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 92 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 30 V, 340 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
