产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：MSL MSL 1 -无限制,
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 96 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 1 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0074 ohm, 10 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -80 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -80 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 85 A, 150 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 85 A, 150 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 200 V, 0.0138 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -580 mA, -20 V, 420 mohm, -4.5 V, 700 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -385 mA, -30 V, 1.25 ohm, -10 V, -2 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 10 ohm, -4.5 V, -2 V
(EN)
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -30 V, 0.0026 ohm, -10 V, -800 mV
(EN)TOSHIBA
晶体管, MOSFET, 功率, P沟道, -12 A, -40 V, 0.0061 ohm, -10 V, -800 mV
(EN)
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V
(EN)TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 100 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V
(EN)TOSHIBA
晶体管, MOSFET, 功率, N沟道, 35 A, 60 V, 0.0043 ohm, 10 V, 1.3 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.7 ohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 140 mA, 450 V, 50 ohm, 10 V, 3 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)
