产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 14.1 A, 500 V, 0.34 ohm, 13 V, 3 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.066 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 500 V, 0.185 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 11A, SOIC
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -6.5 A, -200 V, 0.8 ohm, -10 V, -2 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 36W, TO-220AB
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -16.3 A, -100 V, 0.115 ohm, -10 V
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -50V, -9.9A, TO-252-3
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 3.8A, SOIC
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 18A, D-PAK
(EN)STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 340 mohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7W, 6-TSOP
(EN)
VISHAY
场效应管, P通道, MOSFET, -200V, 6.5A, D2-PAK
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 100A, 100V, 3.6W
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 19 A, 20 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 1.8 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.0049Ω, 15A, SOIC-8
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -9.8 A, -30 V, 13.6 mohm, -10 V, -1.9 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
