产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：工作温度最高值 175°C,
INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 65A, 30V, 75W
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0064 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 3.5 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 14A TO-220FP
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 3 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0011OHM, 195A,
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 2950 μohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 100 V, 0.077 ohm, 5 V, 2 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 55 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 2 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 55 V, 16 mohm, 10 V, 2.3 V
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 195A, TO-263AB-3
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 75A, D2-PAK
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 60A, D2-PAK
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0046 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 195A, TO-220AB-3
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 1800 μohm, 10 V, 2 V
(EN)
