产品分类：场效应管MOSFET晶体管(600V以下),规格：功耗 Pd 1.3W,
INTERNATIONAL RECTIFIER
P CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, -20V, -4.3A, SOT-23
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.042 ohm, -4.5 V, -1.1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
MOSFET Transistor, P Channel, -4.8 A, -20 V, 21 mohm, -4.5 V, -1.5 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 100 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 3.4A, 3-SOT-23
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 60 V, 200 mohm, 5 V, 2 V
(EN)
MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 450 V, 60 ohm, 0 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 135 mA, 350 V, 35 ohm, 0 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 1.3A
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 700 mA, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V
(EN)INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -3.6 A, SOT-23
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 7.5A, 1206
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV
(EN)VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, HEXDIP
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.4 A, 30 V, 0.046 ohm, 4.5 V, 800 mV
(EN)INFINEON
场效应管, N通道, MOSFET, 30V, 3.4A, 3-SOT-23, 整卷
(EN)
