ADESTO TECHNOLOGIES
闪存, 32 Mbit, 8192 页 x 528字节, 20 MHz, 串行, SPI, TSOP, 28 引脚
HYNIX SEMICONDUCTOR
闪存, 与非, 1 Gbit, 128M x 8位, TSOP, 48 引脚
闪存, 512 Mbit, 64M x 8位, TSOP, 48 引脚
芯片, 闪存, NAND, 2GB, TSOP48
闪存, 4 Gbit, 512M x 8位, 并行, TSOP, 48 引脚
MICRON
闪存, 或非, 64 Mbit, 8M x 8位, 并行, TSOP, 48 引脚
闪存, 或非, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚
闪存, 或非, 128 Mbit, 8M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚
闪存, 或非, 512 Mbit, 64M x 8位, 并行, TSOP, 56 引脚
闪存, 或非, 64 Mbit, 4M x 16位, 40 MHz, 并行, TSOP, 56 引脚
闪存, 512 Kbit, 64K x 8位, 50 MHz, 串行, SPI, SOIC, 8 引脚
闪存, 16 Mbit, 2M x 8位, 75 MHz, 串行, SPI, WSOIC, 8 引脚
闪存, 或非, 2 Mbit, 256K x 8位, 75 MHz, SPI, DFN, 8 引脚
闪存, 8 Mbit, 1M x 8位, 75 MHz, 串行, SPI, NSOIC, 8 引脚
闪存, 8 Mbit, 1M x 8位, 50 MHz, 串行, SPI, VFQFPN, 8 引脚
闪存, 或非, 16 Mbit, 2M x 8位, 75 MHz, SPI, WSOIC, 8 引脚
闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 75 MHz, 串行, SPI, VFQFPN, 8 引脚
闪存, 可擦除页, 可更改字节, 4 Mbit, 512K x 8位, 75 MHz, 串行, SPI, WSOIC, 8 引脚
闪存, 或非, 8 Mbit, 1M x 8位, 75 MHz, SPI, NSOIC, 8 引脚
闪存, 引导块, 32 Mbit, 2M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
闪存, 引导块, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
闪存, 引导块, 16 Mbit, 2M x 8位 / 1M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
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