产品分类：MOSFET驱动器,规格：驱动器封装类型 SOIC,
INFINEON
双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-14
(EN)
MICROCHIP
双功率驱动器, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8
(EN)
MICROCHIP
双功率驱动器, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8
(EN)
INFINEON
驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 17ns延迟, SOIC-8
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 13ns延迟, SOIC-8
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-5.5V电源, 3μs延迟, SOIC-8
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高压侧, SOIC-8
INFINEON
双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10.1V-16.8V电源, 260mA输出, 350ns延迟, SOIC-8
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
复合门驱动器, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8
(EN)INFINEON
半桥驱动器, MOSFET, 10V-20V电源, 600mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
(EN)LINEAR TECHNOLOGY
驱动器, MOSFET开关, 高压侧, 4.5V-18V电源, 85 μA输出, 28μs延迟, SOIC-8
(EN)INFINEON
双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-8
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧, 3V-5.5V电源, 2.5A输出, 200ns延迟, SOIC-16
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8
(EN)MAXIM INTEGRATED PRODUCTS
DRIVER, MOSFET, DUAL POWER, NSOIC8
(EN)MICROCHIP
驱动器芯片, 高压侧, 4.5V-30V电源, 1.5A输出, 78ns延迟, SOIC-8
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9V-14V电源, 2A输出, 22ns延迟, SOIC-8
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, SOIC-8
(EN)MAXIM INTEGRATED PRODUCTS
MOSFET驱动器, 2输出, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A和4ohm输出, SOIC-8
(EN)INFINEON
双路芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 4A输出, 170ns延迟, SOIC-8
MICROCHIP
双路驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 低压侧, 4.5V-18V电源, 6A输出, 40ns延迟, SOIC-8
(EN)MICROCHIP
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 100V, 半桥, TTL, 8SOIC
(EN)MICREL SEMICONDUCTOR
MOSFET驱动器双路, 低压侧非反相, 4.5V-18V电源, 3A峰值输出, 4.3 Ohm输出, SOIC-8
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 低/高压侧, SOIC-14
(EN)
