产品分类：MOSFET驱动器,规格：驱动器封装类型 SOIC,
INFINEON
双路驱动器芯片, 半桥, 10V-20V电源, 2.3A输出, 270ns延迟, SOIC-8
(EN)MICROCHIP
芯片, 双MOSFET驱动器, 4A, 22V, 8SOIC
(EN)INFINEON
芯片, MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 600mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.6V-13.2V电源, 1.5A输出, 16ns延迟, SOIC-8
(EN)
MICROCHIP
芯片, MOSFET驱动器, 双路, SOIC8
(EN)
INFINEON
双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-14
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.5V-15V电源, 2.4A输出, 75ns延迟, SOIC-8
(EN)
MICROCHIP
驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.2A输出, 40ns延迟, SOIC-16
(EN)
MICREL SEMICONDUCTOR
MOSFET驱动器四路, 低压侧H桥, 4.5V-18V电源, 1.2A峰值输出, 5 Ohm输出, SOIC-16
(EN)ANALOG DEVICES
芯片, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 4A输出, 22ns延迟, SOIC-8
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 140ns延迟, SOIC-8
(EN)MICROCHIP
MOSFET驱动器, 2输出, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A和8ohm输出, SOIC-8
(EN)
STMICROELECTRONICS
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
(EN)LINEAR TECHNOLOGY
双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10V-15V电源, 1.5A输出, 300ns延迟, SOIC-16
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 3A输出, 20ns延迟, SOIC-8
(EN)MICROCHIP
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 100V, 半桥, TTL, 8SOIC
(EN)MICROCHIP
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 非反相, SOIC-8
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 13ns延迟, SOIC-8
(EN)
LINEAR TECHNOLOGY
双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧, 4.5V-18V电源, 26μs延迟, SOIC-8
(EN)
INTERSIL
芯片, MOSFET驱动器, 80V, 0.5A
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9V-14V电源, 3A输出, 20ns延迟, SOIC-8
(EN)
MICREL SEMICONDUCTOR
芯片, MOSFET驱动器
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12.5V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 21ns延迟, SOIC-8
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9V-14V电源, 3A输出, 22ns延迟, SOIC-8
(EN)
