产品分类：MOSFET驱动器,规格：产品范围 -,
STMICROELECTRONICS
驱动器芯片, 高压侧, 5.5V-36V电源, 9A输出, 30μs延迟, P2PAK5
(EN)
MICROCHIP
芯片, 驱动器, 场效应管, MOSFET, 反相, 低压侧, 6A, 8SOIC
(EN)INFINEON
双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-8
(EN)
INFINEON
桥接芯片, 3相, 10V-20V电源, 350mA输出, 380ns延迟, SOIC-28
(EN)
LINEAR TECHNOLOGY
驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4V-6.5V电源, 3.2A输出, 13ns延迟, DFN-8
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, MOSFET, 高压侧, 4V-28V电源, 35μs延迟, SOIC-8
(EN)
MICREL SEMICONDUCTOR
MOSFET驱动器双路, 低压侧反相, 4.5V-18V电源, 1.5A峰值输出, 8 Ohm输出, SOIC-8
(EN)STMICROELECTRONICS
双功率芯片, 半桥+振荡器+DDTIM, 10V-16.6V电源, 270mA输出, SOIC-8
(EN)
MICROCHIP
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 低压侧, MSOP-8
(EN)STMICROELECTRONICS
双功率芯片, 半桥+振荡器, 10V-16.6V电源, 270mA输出, 延迟, SOIC-8
(EN)
ANALOG DEVICES
半桥栅极驱动器, 高压侧和低压侧, 4.5V-5.5V电源, 4A输出, 160ns延迟, SOIC-16
(EN)
INFINEON
智能电源模块, 晶体管, IGBT, 15A, 2KV, SIP 2-25
(EN)INFINEON
芯片, MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
双路芯片, MOSFET, 半桥, 9V-14V电源, 1.8A输出, 25ns延迟, SOIC-8
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 低压侧, DIP-8
(EN)
INFINEON
驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 4A输出, 170ns延迟, DIP-14
(EN)INFINEON
双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2A输出, 120ns延迟, SOIC-16
(EN)INFINEON
电机全桥驱动器, 自振荡器, 600V, 11V-15.6V电源, 260mA输出, 250ns延迟, DIP-14
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12.5V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-16
(EN)MAXIM INTEGRATED PRODUCTS
MOSFET驱动器, 4.5V-18V电源, 2A输出,nsOIC-8
(EN)
INFINEON
芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
(EN)INFINEON
双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, DIP-14
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-14
TEXAS INSTRUMENTS
功率芯片, 低压侧, 5V-40V电源, 1.5A输出, 100ns延迟, DIP-8
(EN)LINEAR TECHNOLOGY
芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4V-6.5V电源, 4.5A下拉电流, 7ns下降时间, DFN-8
(EN)
