产品分类：MOSFET驱动器,规格：工作温度最高值 150°C,
DIODES INC.
理想二极管替代, 5-15Vcc量程, 15ns关闭传播延迟, SOIC-8
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
芯片, 同步降压稳压器, FET, 功率级, 5.5V, VSON-8
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 500mA输出, 35ns延迟, SOIC-8
(EN)
ALLEGRO MICROSYSTEMS
电机芯片, 3相桥接, 3V-5.5V电源, 150mA输出, 90ns延迟, LQFP-48
(EN)
MICROCHIP
芯片, 驱动器, 场效应管, MOSFET, 低压侧, 6A, 4120
(EN)
STMICROELECTRONICS
驱动器, MOSFET, 高压侧, 4V-28V电源, 40μs延迟, POWERSSO-16
(EN)
INFINEON
双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 5V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, DIP-8
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-5.5V电源, 3μs延迟, SOIC-8
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 半桥接器, DIP-8
(EN)
DIODES INC.
双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 0V-12V电源, 9A输出, 3ns延迟, SOT-23-6
(EN)
STMICROELECTRONICS
MOSFET驱动器, 高压侧, 5.5 V至36 V电源, 9 A峰值输出, 40 μs输入/30 μs输出继电器, PPAK-5
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
自保护低压侧驱动器, 温度和电流限制, 42V, 14A, 单路N通道, SOT-223-4
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
芯片, 同步降压稳压器, FET, 功率级, 5.5V, VSON-8
(EN)INFINEON
驱动器, MOSFET, 半桥, 8.6V-18V电源, 4A输出, 80ns延迟, SOIC-8
(EN)
STMICROELECTRONICS
驱动器, MOSFET, 高压侧, 5.5V-36V电源, 250mA输出, 40μs延迟, SOIC-10
(EN)
STMICROELECTRONICS
驱动器芯片, 高压侧, 5.5V-36V电源, 9A输出, 30μs延迟, P2PAK5
(EN)
STMICROELECTRONICS
双路驱动器芯片, 高压侧, 5.5V-36V电源, 9A输出, 30μs延迟, SOIC-10
(EN)DIODES INC.
门驱动器, MOSFET, 5V-15V电源, 20ns延迟, SOIC-8
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器芯片, 高压侧, 5.5V-36V电源, 9A输出, 30μs延迟, P2PAK5
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, MOSFET, 高压侧, 4V-28V电源, 35μs延迟, SOIC-8
(EN)
STMICROELECTRONICS
双路驱动器芯片, 高压侧, 4.5V-36V电源, 41A输出, 50μs延迟, POWERSSO-24
(EN)
INFINEON
电机驱动器, 12V-20V电源, 700ns延迟, SIP-23
(EN)
INFINEON
芯片, 驱动器, DIP-8
(EN)INFINEON
驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 8.6V-18V电源, 4A输出, 70ns延迟, SOIC-8
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器芯片, 高压侧, 4.5V-36V电源, 5.4A输出, 15μs延迟, POWERSSO-24
(EN)
