产品分类：MOSFET驱动器,规格：工作温度最小值 -40°C,
MICROCHIP
芯片, 驱动器, 场效应管, MOSFET, 高/低压侧, SOIC-8
(EN)
MICREL SEMICONDUCTOR
驱动器, MOSFET, 高压侧或低压侧, 2.75V-30V电源, 6μs延迟, Mlf-8
(EN)MICROCHIP
芯片, 驱动器, 场效应管, MOSFET, 双路, INV, 1.5A, 8SOIC
(EN)
INFINEON
芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 低压侧, NSOIC-8
(EN)
INFINEON
芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 三相桥接器, WSOIC-28
(EN)
STMICROELECTRONICS
驱动器芯片, 高压侧, 5.5V-36V电源, 45A输出, 50μs延迟, PENTAWATT-5
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-22V电源, 4.5A输出, 140ns延迟, SOP-8
(EN)
VISHAY
芯片, 内置功率级, MLP-22
(EN)
INFINEON
双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
(EN)
INFINEON
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高压侧, SOT-23-6
(EN)INFINEON
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高压侧, SOT-23-6
(EN)INFINEON
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高压侧, SOT-23-6
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
芯片, 高压侧与低压侧, 门驱动器, MLP-10
(EN)
STMICROELECTRONICS
驱动器, MOSFET, 高压侧, 4V-28V电源, 40μs延迟, POWERSSO-16
(EN)
INFINEON
功率芯片, 高压侧和低压侧, 0V-18V电源, 3.3A输出, 200ns延迟, DIP-8
(EN)
STMICROELECTRONICS
芯片, 驱动器, 高压侧, PPAK-5
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-16.6V电源, 高电压轨高达600V, SOIC-8
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 低压侧, DIP-8
INFINEON
功率芯片, 低压侧, 12V-18V电源, 3.3A输出, 200ns延迟, DIP-8
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
芯片, 栅极驱动器, 高速, 低压侧, 2A, 2路, 8SOIC
(EN)LINEAR TECHNOLOGY
驱动器芯片, MOSFET, 高压侧, 8V-48V电源, 40mA输出, 25μs延迟, SOIC-8
(EN)INTERSIL
双路驱动器, MOSFET, 4.5V-15V电源, 2A输出, 20ns延迟, SOIC-8
(EN)
INFINEON
芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 半桥接器, SOIC-14
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
芯片, 直流/直流控制器, 降压, 750KHZ, 5.25V, QFN-52
(EN)
VISHAY
内置功率级, POWERPAK-22
(EN)
