产品分类：MOSFET驱动器,规格：工作温度最小值 -40°C,
MICREL SEMICONDUCTOR
MOSFET驱动器单路, 低压侧反相, 4.5V-18V电源, 12A峰值输出, 0.8 Ohm输出, DIP-8
(EN)
MICROCHIP
芯片, 驱动器, 场效应管, MOSFET, 双路, 3A, 8SOIC
(EN)
INTERSIL
芯片, 场效应管, MOSFET 驱动器, 双路, 高压侧 QFN-16
(EN)MICROCHIP
驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.5V-5.5V电源, 3.5A输出, 27ns延迟, SOIC-8
(EN)
STMICROELECTRONICS
驱动器芯片, 高压侧, 5.5V-36V电源, 9A输出, 30μs延迟, PPAK-5
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 5.5V-20V电源, 300mA输出, 130ns延迟, SOIC-8
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 18ns延迟, SOIC-8
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 半桥, 9V-14V电源, 1.8A输出, 27ns延迟, VSSOP-10
(EN)INFINEON
双路MOSFET驱动器芯片, 驱动器, 高和低压侧, 10V-20V电源, 1A输出, 60ns延迟, SOIC-8
(EN)
ANALOG DEVICES
驱动器, MOSFET, 低压侧, 9.5V-18V电源, 4A输出, 14ns延迟, HMSOP-8
(EN)
INFINEON
MOSFET驱动器, 高低压侧, 10V-20V电源, 200 mA和55ohm输出, SOIC-28
(EN)
INFINEON
MOSFET Driver, 3.5V-15V supply, 4A output, DSO-8
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高压侧, DIP-8
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 8.5V-40V电源, 600mA输出, 350ns延迟, SOIC-16
(EN)INFINEON
芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 低压侧, NSOIC-8
(EN)
STMICROELECTRONICS
驱动器, MOSFET, 高压侧, 4V-28V电源, 40μs延迟, POWERSSO-16
(EN)
INFINEON
双功率芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 420mA输出, 105ns延迟, DIP-14
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧, 4.5V-20V电源, 450mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-32V电源, 5A输出, 17ns延迟, SOT-23-6
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 30ns延迟, WSON-8
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, SOIC-8
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
芯片, 单MOSFET驱动器, BICMOS, TSOP, 5脚
(EN)
STMICROELECTRONICS
驱动器, MOSFET, 高压侧, 4.5V-28V电源, 15μs延迟, POWERSSO-16
(EN)LINEAR TECHNOLOGY
驱动器芯片, MOSFET, 9V-80V电源, 80 μA输出, 300ns延迟, MSOP-8
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-12.6V电源, 7.6A输出, 12ns延迟, SOT-23-6
(EN)
