NXP

压力传感器, 差分, 2.5 mV/kPa, 0 kPa, 10 kPa, 3 V, 10 V

DIODES INC.

电流传感器, 高压侧, SOT-23, 5 引脚, 2.5 V, 20 V

NXP

压力传感器, 差分, 90 mV/kPa, 0 kPa, 50 kPa, 4.75 V, 5.25 V

ALLEGRO MICROSYSTEMS

电流传感器, 过流检测, 11 mA, 120 kHz, SOIC, 16 引脚, 3 V, 5.5 V

NXP

压力传感器, 差分, 45 mV/kPa, 0 kPa, 100 kPa, 4.75 V, 5.25 V

STMICROELECTRONICS

加速度计, MEMS, 3轴, 数字, X, Y, Z, ± 2g, ± 6g, 2.16 V, 3.6 V, LGA

NXP

压力传感器, 绝对, 45.9 mV/kPa, 15 kPa, 115 kPa, 4.75 V, 5.25 V

ANALOG DEVICES

IC Output Type:Open Drain

MICROCHIP

接近传感器, SOIC, 8 引脚, 1.8 V, 3.3 V

TEXAS INSTRUMENTS

温度传感器芯片, 电压, ± 3°C, -55 °C, +125 °C, SOT-23, 5 引脚

TEXAS INSTRUMENTS

霍尔效应传感器, 锁定式, 30 mA, SOT-23, 3 引脚, 2.5 V, 38 V

TEXAS INSTRUMENTS

温度传感器芯片, 数字式, ± 0.5°C, -55 °C, +125 °C, SOT-23, 6 引脚

MICROCHIP

芯片, 温度传感器, 1°C, SC70-5

HONEYWELL

湿度传感器, 3.5 %, 5.8 VDC, 0% 至 100% 相对湿度, SIP, 3 引脚, 15 s

TEXAS INSTRUMENTS

芯片, 温度传感器, 3度, TO-92-3

DIODES INC.

霍尔效应开关, 单极性, 100 G, 85 G, 3 V, 28 V, SIP

DIODES INC.

霍尔效应开关, 单极性, 115 G, 90 G, 3 V, 28 V, SIP

DIODES INC.

霍尔效应开关, 单极性, 150 G, 125 G, 3 V, 28 V, SIP

DIODES INC.

霍尔效应开关, 单极性, 275 G, 250 G, 3 V, 28 V, SIP

DIODES INC.

霍尔效应开关, 单极性, 80 G, 60 G, 3 V, 28 V, SIP

DIODES INC.

霍尔效应开关, 单极性, 175 G, 150 G, 3 V, 28 V, SIP

HONEYWELL

霍尔效应传感器, 双极性, 7 mA, SOIC, 8 引脚, 5 V, 12 V

ON SEMICONDUCTOR

电容式触摸传感器, I2C, SPI, 2.6 V, 5.5 V, SSOP, 30 引脚, -40 °C

DIODES INC.

霍尔效应开关, 单极性, 210 G, 185 G, 3 V, 28 V, SIP

ALLEGRO MICROSYSTEMS

霍尔效应开关, 单极开关, 开关, 180 G, 125 G, 3.8 V, 24 V