产品分类：MOSFET驱动器,规格：封装 每个,
STMICROELECTRONICS
双功率芯片, 半桥+振荡器, 10V-16.6V电源, 270mA输出, 延迟, SOIC-8
(EN)
ANALOG DEVICES
半桥栅极驱动器, 高压侧和低压侧, 4.5V-5.5V电源, 4A输出, 160ns延迟, SOIC-16
(EN)
INFINEON
智能电源模块, 晶体管, IGBT, 15A, 2KV, SIP 2-25
(EN)INFINEON
芯片, MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
双路芯片, MOSFET, 半桥, 9V-14V电源, 1.8A输出, 25ns延迟, SOIC-8
(EN)
INFINEON
驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 4A输出, 170ns延迟, DIP-14
(EN)INFINEON
双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2A输出, 120ns延迟, SOIC-16
(EN)INFINEON
电机全桥驱动器, 自振荡器, 600V, 11V-15.6V电源, 260mA输出, 250ns延迟, DIP-14
(EN)STMICROELECTRONICS
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12.5V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-16
(EN)MAXIM INTEGRATED PRODUCTS
MOSFET驱动器, 4.5V-18V电源, 2A输出,nsOIC-8
(EN)
INFINEON
芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
(EN)INFINEON
双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, DIP-14
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
功率芯片, 低压侧, 5V-40V电源, 1.5A输出, 100ns延迟, DIP-8
(EN)
LINEAR TECHNOLOGY
芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4V-6.5V电源, 4.5A下拉电流, 7ns下降时间, DFN-8
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, VSON-8
(EN)MAXIM INTEGRATED PRODUCTS
MOSFET驱动器, 4.5V-18V电源, 6A输出,nsOIC-8
(EN)MICROCHIP
驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.5V-16V电源, 1A输出, 30ns延迟, SOIC-8
(EN)
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS
MOSFET驱动器, 8V-12.6V电源, 2A输出, TQFN-12
(EN)
INFINEON
芯片, 无传感器电机控制器, 交流, QFP-64
(EN)MAXIM INTEGRATED PRODUCTS
MOSFET驱动器, 2输出, 低压侧, 4.5V-18V电源, 2A和4ohm输出, SOIC-8
(EN)
LINEAR TECHNOLOGY
双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.5V-13.2V电源, 1.5A输出, 35ns延迟, SOIC-8
(EN)MICROCHIP
驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.5V-16V电源, 500mA输出, 30ns延迟, SOIC-8
(EN)INFINEON
双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 600mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
(EN)
STMICROELECTRONICS
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧, 26V电源, 2.3A输出, 450ns延迟, SOIC-14
(EN)
STMICROELECTRONICS
双路驱动器芯片, 高压侧, 4.5V-36V电源, 41A输出, 50μs延迟, POWERSSO-24
(EN)
