TD350E,2311311,驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧, 26V电源, 2.3A输出, 450ns延迟, SOIC-14,STMICROELECTRONICS
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TD350E - 

驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧, 26V电源, 2.3A输出, 450ns延迟, SOIC-14

STMICROELECTRONICS TD350E
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
TD350E
仓库库存编号:
2311311
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TD350E产品概述

The TD350E is an advanced Gate Driver for IGBTs and power MOSFETs. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems. The innovative active Miller clamp function eliminates the need for negative gate drive in most applications and allows the use of a simple bootstrap supply for the high side driver. The device also includes IGBT de-saturation protection and a FAULT status output and is compatible with both pulse transformer and optocoupler signals.
  • Active Miller clamp feature
  • Two-level turn-OFF with adjustable level and delay
  • De-saturation detection
  • Fault status output
  • Negative gate drive capability
  • Separate sink and source outputs for easy gate driving
  • UVLO protection
  • 2kV ESD protection (HBM)

电机驱动与控制, 电源管理

TD350E产品信息

  驱动配置  高压侧  
  输出电流峰值  2.3A  
  电源电压最小值  -  
  电源电压最大值  26V  
  驱动器封装类型  SOIC  
  针脚数  14引脚  
  输入延迟  500ns  
  输出延迟  450ns  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  125°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
关键词         

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

TD350E产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423300
重量(千克):
.001089
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