CSD16407Q5,1710769,晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0018 ohm, 4.5 V, 1.6 V,TEXAS INSTRUMENTS
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晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0018 ohm, 4.5 V, 1.6 V

TEXAS INSTRUMENTS CSD16407Q5
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制造商产品编号：
CSD16407Q5
仓库库存编号：
1710769
技术数据表：
(EN)
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CSD16407Q5产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  100A  
  漏源电压, Vds  25V  
  在电阻RDS（上）  1.8mohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  1.6V  
  功耗 Pd  3.1W  
  晶体管封装类型  SON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

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晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0018 ohm, 4.5 V, 1.6 V

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Texas Instruments - CSD16407Q5 - Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16407Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
制造商零件编号：
CSD16407Q5
品牌：
Texas Instruments
库存编号：
827-4763
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Texas Instruments - CSD16407Q5 - MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON		Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）

型号：CSD16407Q5
仓库库存编号：296-24252-1-ND
别名：296-24252-1 <br>

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Texas Instruments - CSD16407Q5C - MOSFET N-CH 25V 100A 8SON		Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）

型号：CSD16407Q5C
仓库库存编号：296-25664-1-ND
别名：296-25664-1 <br>

含铅		搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669

CSD16407Q5产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0001
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