BSS84PH6327XTSA2,1056526,晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V,INFINEON
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

BSS84PH6327XTSA2 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V

INFINEON BSS84PH6327XTSA2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BSS84PH6327XTSA2
仓库库存编号:
1056526
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BSS84PH6327XTSA2产品概述

The BSS84P H6327 from Infineon is surface mount, P channel logic level enhancement mode SIPMOS small signal transistor in SOT-23 package. The device features dv/dt and Avalanche ratings.
  • Automotive grade AEC-Q101 qualified
  • Drain to source voltage (Vds) of -60V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Continuous drain current (Id) of -170mA
  • Power dissipation (pd) of 360mW
  • Operating temperature range -55°C to 150°C
  • Low on state resistance of 8ohm at Vgs -4.5V

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业, 车用

BSS84PH6327XTSA2产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -170mA  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS(上)  8ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.5V  
  功耗 Pd  360mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  -  
关键词         

BSS84PH6327XTSA2相关搜索

晶体管极性 P沟道  INFINEON 晶体管极性 P沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道   电流, Id 连续 -170mA  INFINEON 电流, Id 连续 -170mA  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -170mA  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -170mA   漏源电压, Vds -60V  INFINEON 漏源电压, Vds -60V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -60V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -60V   在电阻RDS(上) 8ohm  INFINEON 在电阻RDS(上) 8ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 8ohm  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 8ohm   电压 @ Rds测量 -10V  INFINEON 电压 @ Rds测量 -10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V   阈值电压 Vgs -1.5V  INFINEON 阈值电压 Vgs -1.5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -1.5V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -1.5V   功耗 Pd 360mW  INFINEON 功耗 Pd 360mW  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 360mW  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 360mW   晶体管封装类型 SOT-23  INFINEON 晶体管封装类型 SOT-23  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-23  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-23   针脚数 3引脚  INFINEON 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  INFINEON 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  INFINEON 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 AEC-Q101  INFINEON 汽车质量标准 AEC-Q101  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101   MSL -  INFINEON MSL -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSS84PH6327XTSA2产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.000033
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com