IRF7351PBF,1843030,晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.0137 ohm, 10 V, 4 V,INFINEON
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IRF7351PBF - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.0137 ohm, 10 V, 4 V

INFINEON IRF7351PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF7351PBF
仓库库存编号：
1843030
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF7351PBF产品概述

The IRF7351PBF is a 60V dual N-channel HEXFET Power MOSFET ideal for low power motor drive systems. It is compatible with existing surface mount techniques. This synchronous rectifier MOSFET is designed for isolated DC-DC converters.
  • Ultra-low gate impedance
  • Fully characterized avalanche voltage and current
  • Trench MOSFET technology
  • ±20V Gate to source voltage
  • 0.016W/°C Linear derating factor
  • 50A Avalanche current (IAR)
  • 20°C/W Thermal resistance, junction to drain lead
  • 62.5°C/W Thermal resistance, junction to ambient

工业, 电源管理, 电机驱动与控制

IRF7351PBF产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  8A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.0137ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  2W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IRF7351PBF产地与重量

原产地：
Thailand

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000198
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