DE275X2-102N06A,1347738,晶体管, 射频FET, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2,IXYS RF
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

DE275X2-102N06A - 

晶体管, 射频FET, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2

IXYS RF DE275X2-102N06A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS RF IXYS RF
制造商产品编号:
DE275X2-102N06A
仓库库存编号:
1347738
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
您可通过官网直接下单选定型号并完成支付(请确保型号准确),销售团队将同步审核;线下合同交易模式同步开放,具体流程请联系我司业务代表。

DE275X2-102N06A产品概述

The DE275X2-102N06A is a matched pair RF power MOSFET device in a common source configuration. The device is optimized for push-pull or parallel operation in RF generators and amplifiers at frequencies to >65MHz very low insertion inductance and isolated substrate with excellent thermal transfer. Low gate charge and capacitances easier to drive and no beryllium oxide or other hazardous materials.
  • N-channel enhancement mode
  • Common source push-pull pair
  • Low Qg and Rg
  • High dv/dt rating
  • Nanosecond switching
  • Low insertion inductance

射频通信

DE275X2-102N06A产品信息

  漏源电压, Vds  1kV  
  电流, Id 连续  16A  
  功耗 Pd  1.18kW  
  工作频率最小值  -  
  运行频率最大值  100MHz  
  射频晶体管封装  DE-275X2  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
关键词         

DE275X2-102N06A相关搜索

漏源电压, Vds 1kV  IXYS RF 漏源电压, Vds 1kV  射频场效应管(FET)晶体管 漏源电压, Vds 1kV  IXYS RF 射频场效应管(FET)晶体管 漏源电压, Vds 1kV   电流, Id 连续 16A  IXYS RF 电流, Id 连续 16A  射频场效应管(FET)晶体管 电流, Id 连续 16A  IXYS RF 射频场效应管(FET)晶体管 电流, Id 连续 16A   功耗 Pd 1.18kW  IXYS RF 功耗 Pd 1.18kW  射频场效应管(FET)晶体管 功耗 Pd 1.18kW  IXYS RF 射频场效应管(FET)晶体管 功耗 Pd 1.18kW   工作频率最小值 -  IXYS RF 工作频率最小值 -  射频场效应管(FET)晶体管 工作频率最小值 -  IXYS RF 射频场效应管(FET)晶体管 工作频率最小值 -   运行频率最大值 100MHz  IXYS RF 运行频率最大值 100MHz  射频场效应管(FET)晶体管 运行频率最大值 100MHz  IXYS RF 射频场效应管(FET)晶体管 运行频率最大值 100MHz   射频晶体管封装 DE-275X2  IXYS RF 射频晶体管封装 DE-275X2  射频场效应管(FET)晶体管 射频晶体管封装 DE-275X2  IXYS RF 射频场效应管(FET)晶体管 射频晶体管封装 DE-275X2   针脚数 8引脚  IXYS RF 针脚数 8引脚  射频场效应管(FET)晶体管 针脚数 8引脚  IXYS RF 射频场效应管(FET)晶体管 针脚数 8引脚   工作温度最高值 175°C  IXYS RF 工作温度最高值 175°C  射频场效应管(FET)晶体管 工作温度最高值 175°C  IXYS RF 射频场效应管(FET)晶体管 工作温度最高值 175°C   产品范围 -  IXYS RF 产品范围 -  射频场效应管(FET)晶体管 产品范围 -  IXYS RF 射频场效应管(FET)晶体管 产品范围 -   MSL -  IXYS RF MSL -  射频场效应管(FET)晶体管 MSL -  IXYS RF 射频场效应管(FET)晶体管 MSL -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

DE275X2-102N06A产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.011793
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com