MTP2P50EG,9556893,晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -500 V, 6 ohm, 10 V, -3 V,ON SEMICONDUCTOR
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MTP2P50EG - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -500 V, 6 ohm, 10 V, -3 V

ON SEMICONDUCTOR MTP2P50EG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MTP2P50EG
仓库库存编号:
9556893
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MTP2P50EG产品概述

The MTP2P50EG is a P-channel high voltage Power MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. It is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.
  • Robust high voltage termination
  • Avalanche energy specified
  • Source-to-drain diode recovery time comparable to a discrete
  • Fast recovery diode
  • Diode is characterized for use in bridge circuits
  • IDSS and VDS (on) specified at elevated temperature

电源管理, 电机驱动与控制, 工业

MTP2P50EG产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  2A  
  漏源电压, Vds  -500V  
  在电阻RDS(上)  6ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  -3V  
  功耗 Pd  75W  
  晶体管封装类型  TO-220AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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MTP2P50EG产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
Y-Ex
税则号:
85412900
重量(千克):
.002885
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